НАНОЛИТОГРАФИЯ В ЭКСТРЕМАЛЬНОМ УЛЬТРАФИОЛЕТЕ И МЯГКОМ РЕНТГЕНЕ

Выполнен анализ тенденций развития микроэлектроники, в том числе основания известного закона Мура. Рассматривается роль в этом процессе фотолитографии и возможная роль в дальнейшем развитии микроэлектроники нанолитографии в экстремальном ультрафиолете и мягком рентгене. Обзор основан на обширном экспериментальном и теоретическом материале, на рассмотрении известных литературных данных, а также собственных работ автора и взаимодействующих с ним исследователей, главным образом вовлечённых в разработку нанолитографической системы, названной автором проектом ФТИ. Изложение охватывает основные элементы, входящие в построение ЭУФ- и МР-литографа. Такой подход даёт возможность рассмотрения проблемы с единых позиций, а также максимального приближения к актуальным отечественным задачам.