ПОГЛОЩЕНИЕ СВЕТА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ: МЕЖЗОННЫЕ ПЕРЕХОДЫ, ЭКСИТОНЫ, ПРИМЕСИ

Рецензенты:
Доктор физико-математических наук, профессор, профессор Высшей инженерно-физической школы СПбПУ В. Э. Гасумянц
Доктор физико-математических наук, доцент, заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ» О. С. Комков
 
В учебном пособии рассмотрены физические процессы поглощения света в полупроводниках, связанные с межзонными оптическими переходами. Подробно излагается квантовомеханическая теория прямых и непрямых переходов, влияние температуры на ширину запрещенной зоны, а также роль экситонов в формировании спектров поглощения. Особое внимание уделено примесному поглощению и влиянию сильного легирования. Теоретический материал дополнен экспериментальными данными для различных полупроводниковых материалов.
Учебное пособие предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям «Техническая физика», а также по другим направлениям, в учебных планах которых предусмотрено изучение оптических свойств полупроводников и полупроводниковых наноструктур. Материалы учебного пособия могут быть использованы при изучении курсов «Оптические явления в полупроводниках» и «Физика полупроводников и наноразмерных структур» студентами старших курсов, а также аспирантами и научными работниками, специализирующимися в области полупроводниковой оптоэлектроники.